第182章 单晶到底怎么造(3k)

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第182章单晶到底怎么造(3k)

段工重新接过电话,对高振东笑道:“高主任,别的啥也不说了,又麻烦你一次,你放心,我保证,但凡有你们的石墨构件单子,我每次都亲自盯紧。”

这倒是个好事,能最大程度的保证单晶炉石墨构件的源头质量。

机要通话的资源还是很宝贵的,事情说完,再次互祝新年之后,挂断了通话。

对于一些石墨材料制作中的其他问题,碳研院没问,高振东也是没法主动说的,一来,也许他们的选择更优,二来,还有个保密规定在呢,就算是技术顾问也不能随便问对方主动给出的信息之外的话题。

看看日历,还有两天就要除夕了。

高振东从机要室出来,没有回办公室,而是去了单晶炉试验室。

高振东话还没说完,俞允成已经学会抢答了:“还有就是,可以配合其他控制系统一起,调节炉温、改善结晶条件和环境、调整结晶状态?”

“石墨坩埚旋转,一部分是为了均匀受热,毕竟再好的控制系统,也不能保证加热炉中各处的温度均匀,要注意一个问题,在拉晶过程中,晶体的成型,受热场的温度梯度影响非常大。”

能清晰的分辨出子系统功能和子系统作用,对于一部分人来说,这已经不容易了。

高振东前世的导师举过一个例子,某项目中,为了每几分钟在相隔500米的两地传输1k字节不到的数据,设计单位决定在两地之间拉一条单模光纤。

简单来说,功能,指的是这个子系统能干什么事情。

看见高振东过来,俞允成也走了过来,正好他有些积累的问题想问一下:“高主任,过来了?”

简单来说,直拉法是把硅在锅里烧化,然后往上拉晶。

“高主任,区熔法具体一点是个什么回事呢?”

“而坩埚的升降,也是类似。径向温度梯度的影响刚才你们都看见了,要高一点,这样才能及时散掉单晶硅生长的结晶潜热,保持界面温度稳定。但是又不能太高,太高了可能产生多晶或者大量结构缺陷。”

听见高振东肯定了自己的想法,俞允成心里很有几分窃喜。

然后高振东就告诉了他为什么一开始不做区熔法:“但是从这两个方法来看,适应范围最广、晶体直径最容易做大、技术更简单的,是直拉法。”

高振东拿过纸笔,给俞允成画出了拉晶过程中的温度梯度曲线,详细解释了温度梯度的来源和影响。

区熔法则是把硅棒吊起来,把下端烧化,然后往下拉晶。

高振东笑着道:“嗯,俞工,现在情况怎么样?”

“对,在某个方向上,温度的变化情况。分径向温度梯度和纵向温度梯度,前者你可以看成是晶体圆截面上的温度梯度,后者,则是高度方向上的温度梯度。”

对方哑口无言,不过,也许傻的不是设计单位,而是高振东的导师吧。

俞允成对高振东这堂课心服口服,来这里果然来对了,不但学到了技术,还学会了科研的思想。

有这位科班出身的人在,高振东也很放心,他领先的是思路和原理,具体细节就不见得比俞允成更好了。

俞允成情绪也很不错:“还比较顺利,正在一项一项的装,一项一项的调。”

所以他对于开口向高振东学习,没有一点不好意思,不赶紧趁高主任有空,多扒拉点东西,那高主任不白来了。

俞允成听见了有些惊讶:“啊,这样啊,好像是比较难控制。”

“温度梯度?”

“高主任,从原理上分析,区熔法比直拉法的材料纯度要高,我们为什么不直接用区熔法搞。”

实际上哪怕到了几十年后,半导体用硅单晶的生产方法还是以这两个为主,其中直拉法占了75%左右的产量。

所以听见俞允成问这个问题,高振东还是很高兴的,向他仔细的解释。

有时候有的人容易陷入功能崇拜里面去,这个功能越多越好,越复杂越好,至于能起到什么作用,是不是对系统有利,或者为了这点儿利益付出这么大代价是否值得,没想过或者没想好。

这个话一开始他是不太好问的,这涉及到原理路线问题了,看见高振东的单晶炉设计那么完整,一开始问这个话有点全盘推翻的感觉。

高振东笑着道:“对!”

高振东笑道:“说对了,对于现在来说,直拉法的缺陷是可以通过设计手段来弥补或者削弱的,比如增加石英内坩埚。而它的好处却是实实在在的,我们不是搞理论研究,理论研究可以只盯着高处,我们搞的是应用研究,还是要看看周围。”

见大家都明白这个原理,高振东才说出来增加坩埚升降系统的原因:“而增加温度梯度最简单的办法之一,就是增加坩埚的高度,换言之,调节纵向温度梯度最简单的手段,就是升降坩埚。当然.”

俞允成负责具体的落地过程,比他更合适。

俞允成和周围在观看学习的科研组员,都觉得打开了一扇新世界的大门,以前的很多相关经验,都可以在这个里面得到解释。

“高主任,在我看来,只要坩埚加热温度稳定,热场就是稳定的,坩埚的加热温度可以靠电源功率控制来完成,而拉晶的提拉旋转和高度可以靠籽晶那头控制,为什么坩埚这头还要增加复杂的坩埚升降和旋转控制呢,这不是大大增加了系统的复杂程度吗。”

这边的具体事务,是俞允成在负责。

最后,高振东总结道:“径向温度梯度,原则上是要越均匀越好的,这就是刚才我说的要把坩埚转起来的部分原因。”

半导体器件用的单晶体,基底的掺杂本来就是常用工序之一,在这一点上,直拉比区熔可就方便多了。

高振东点点头:“没错,不过这些方法都有这样那样的问题,总的来说,电子技术上用

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